浙江大学杭州国际科创中心近日传来喜讯，旗下先进半导体研究院与杭州乾晶半导体公司共建的联合实验室，在碳化硅单晶技术领域取得重大进展。该实验室成功实现了8英寸n型碳化硅单晶锭的培育，并加工出相应衬底片，标志着我国碳化硅技术迈向新的里程碑。此突破预计将大幅降低碳化硅功率器件生产成本，为产业发展注入强大动力。

碳化硅作为第三代半导体材料的基石，以其耐高压、耐高温、低损耗的特性，在电力电子领域具有重要应用价值。当前，制约碳化硅产品成本的关键在于衬底制造难度大。而大尺寸衬底能显著提升芯片产量，降低成本，成为行业发展的新趋势。全球范围内，6英寸衬底仍是主流，突破更大尺寸衬底制造技术成为当务之急。

联合实验室采用物理气相传输（PVT）法，创新提出多段式电阻加热策略，结合数值模拟研究，优化8英寸碳化硅单晶生长条件。团队利用信息技术，通过计算机模拟深入探究高温单晶生长过程，为碳化硅生长创造更佳环境。

值得一提的是，2022年7月，该实验室已成功培育出厚度达50mm的6英寸碳化硅单晶，创下当时最大尺寸纪录。此次项目由杭州乾晶半导体有限公司、科创中心先进半导体研究院以及浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室共同合作，展现了我国在半导体领域全链条创新生态的强大实力。项目成果还获得了浙江省2023年“尖兵”研发攻关计划项目资助。

公开资料显示，杭州乾晶半导体有限公司致力于半导体碳化硅材料研发，旨在成为国际知名的半导体材料品牌和标杆企业。